戈登?摩爾剛剛?cè)ナ?，業(yè)界關(guān)于摩爾定律未來(lái)如何演進(jìn)的分析再次多了起來(lái)。

沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)科學(xué)家在27日出版的《自然》雜志上發(fā)表論文指出，他們成功將二維材料集成在硅微芯片上，并實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的集成密度、電子性能和良品率。研究成果將幫助半導(dǎo)體公司降低制造成本，及人工智能公司減少數(shù)據(jù)處理時(shí)間和能耗。

SIA（美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月27日發(fā)布的報(bào)告顯示，盡管 2022 年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)周期性低迷，但2022年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到 5740 億美元的歷史新高，較2021年增長(zhǎng) 3.3%。

半導(dǎo)體芯片是計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)和許多其他電子產(chǎn)品的核心部件，新工藝將帶來(lái)更快、更高效的自旋電子設(shè)備，并且使這些設(shè)備比以往更小。研究論文發(fā)表在最近的《先進(jìn)功能材料》上。

今日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心已成功長(zhǎng)出6英寸導(dǎo)電型4H碳化硅單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長(zhǎng)速度達(dá)到370um／hr，晶體生長(zhǎng)速度更快且具重復(fù)性，這標(biāo)志著臺(tái)灣地區(qū)第三代半導(dǎo)體碳化硅向前推進(jìn)的進(jìn)程。