CMSA085DN06AU是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有非常出色的RDS（ON）。

CMSL107N20是一款N型場效應(yīng)功率管，采用Cmos先進(jìn)的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導(dǎo)通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應(yīng)用場景

CMF85R290R是采用Cmos先進(jìn)超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET，實現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供更高的效率。

CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術(shù)，改進(jìn)了dv/dt能力，非常適合用于高效開關(guān)電源。

CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進(jìn)的平面工藝制造，其核心優(yōu)勢是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優(yōu)勢，適用于開關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動、逆變儲能及工業(yè)電磁閥小信號類應(yīng)用等場景。