物料推選CMSL107N20
物料推選CMSL107N20
前言
隨著材料科學(xué)的進(jìn)步和半導(dǎo)體物理學(xué)科的突破，集成電路應(yīng)用技術(shù)也得到長(zhǎng)足發(fā)展。從體型碩大、功耗嚴(yán)重、效率低下轉(zhuǎn)向小型化、高效率發(fā)展，這個(gè)過(guò)程集成電路的設(shè)計(jì)理念在不斷更新迭代，逐步向綠色化、可持續(xù)性和生態(tài)友好型轉(zhuǎn)變。
分立半導(dǎo)體元器件作為組成現(xiàn)代電路重要的器件之一，具有廣泛的使用場(chǎng)景。尤其是，進(jìn)入二十一世紀(jì)以來(lái)，隨著半導(dǎo)體封裝工藝的不斷突破和高精密設(shè)備被攻克，制造工藝和制造水平的雙向提升，很好地避開(kāi)了“硅限”理論，使得MOSFET主要分立器件在提高集成性的基礎(chǔ)上性能呈指數(shù)級(jí)增加，進(jìn)一步刺激了集成電路發(fā)展。
場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體簡(jiǎn)稱(chēng)Cmos，是集研發(fā)、生產(chǎn)、制造及銷(xiāo)售于一體的綜合性半導(dǎo)體器件供應(yīng)企業(yè)。持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和孜孜不倦的質(zhì)量追求，使半導(dǎo)體器件具有技術(shù)先進(jìn)、性能穩(wěn)定，品質(zhì)可靠，性價(jià)比高等特點(diǎn)，受眾用戶越來(lái)越來(lái)廣泛，并且逐步邁向高端市場(chǎng)。
TOLL功率級(jí)封裝是汽車(chē)電子，工業(yè)控制，航空航天等領(lǐng)域，具備穩(wěn)定性好，安全性高等特點(diǎn)，很好地滿足復(fù)雜、長(zhǎng)時(shí)效工作環(huán)境。TOLL類(lèi)封裝作為Cmos主要的封裝產(chǎn)品之一，在產(chǎn)品的穩(wěn)定性，散熱性以及性價(jià)比方面均具有優(yōu)勢(shì)，在高端消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品領(lǐng)域越來(lái)越得到用戶認(rèn)可。
CMSL107N20是一款N型場(chǎng)效應(yīng)功率管，采用Cmos先進(jìn)的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導(dǎo)通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，成為汽車(chē)電子、醫(yī)療設(shè)備、通訊設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備中主要的應(yīng)用封裝形式之一。
一、封裝形式
下圖是CMSL107N20封裝形式和內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖，采用TOLL-8封裝形式。
二、基礎(chǔ)參數(shù)
1. 漏源電壓(VDS)：200V
2. 連續(xù)漏極電流（ID@Tc=25℃）：120A（需結(jié)合散熱條件）
3. 導(dǎo)通電阻RDS(on)：9mΩ（最大值）
4. 柵源閾值電壓VGS(th)：4.0V（最大值）
5. 結(jié)到殼的熱阻值RθJC：0.33℃/W
三、核心優(yōu)勢(shì)
CMSL107N20的顯著優(yōu)勢(shì)：
高功率，漏源電壓高達(dá)200V，連續(xù)漏極電流達(dá)到120A,具有非常高的功率通過(guò)能力。
散熱性，晶圓到外殼的熱阻值只有0.33℃/W,很好的滿足高功率條件下的散熱性。
高效率，飽和導(dǎo)通內(nèi)阻最大只有9mΩ，在高功率且高脈寬條件下工作時(shí)損耗更低。
四、應(yīng)用推薦及關(guān)鍵設(shè)計(jì)
CMSL107N20有著上述諸多優(yōu)秀的特性，這些綜合優(yōu)勢(shì)使其在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性，以下是推薦使用場(chǎng)景。
MOSFET在PFC電路中的應(yīng)用分析
總結(jié)
CMSL107N20是一款安全性突出綜合性能強(qiáng)大的MOSFET,具有高效率，快恢復(fù)性，優(yōu)秀的靜電防護(hù)能力及高性價(jià)比等綜合優(yōu)勢(shì)。消費(fèi)電子、工業(yè)控制、智能家居，汽車(chē)電子鄰域應(yīng)用十分廣泛，在電源設(shè)備、醫(yī)療美容，高頻逆變器、具體到PFC電路、LLC等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中適配性很高。
技術(shù)支持與資源獲取
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