CMSA085DN06AU是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術，具有非常出色的RDS（ON）。

CMSL107N20是一款N型場效應功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導通內阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應用場景

CMF85R290R是采用Cmos先進超級結技術的功率MOSFET，實現(xiàn)非常低的導通電阻和柵極電荷，通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術，提供更高的效率。

CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術，改進了dv/dt能力，非常適合用于高效開關電源。

CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進的平面工藝制造，其核心優(yōu)勢是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優(yōu)勢，適用于開關電源（SMPS）、電機驅動、逆變儲能及工業(yè)電磁閥小信號類應用等場景。