隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段,對(duì)新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物,以及國(guó)內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等,都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來(lái)看,銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體,而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料,將一路向?qū)挘€是一路向窄?
新浪科技訊據(jù)報(bào)道,韓國(guó)三星電子是全世界最大的存儲(chǔ)芯片制造商,日前,三星電子研發(fā)團(tuán)隊(duì)和美國(guó)哈佛大學(xué)共同發(fā)表了一篇研究論文,他們提出了一種新方法,準(zhǔn)備在一個(gè)存儲(chǔ)芯片上“反向工程”(復(fù)制)人類的大腦。
從智能手機(jī)、電視到風(fēng)力渦輪機(jī),硅芯片的需求正在蓬勃發(fā)展,但它也付出了巨大的代價(jià):巨大的碳足跡。該行業(yè)呈現(xiàn)出一個(gè)悖論。實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)在某種程度上要依靠半導(dǎo)體。它們是電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能電池陣列和風(fēng)力渦輪機(jī)的組成部分。
外媒報(bào)導(dǎo),下世代半導(dǎo)體先進(jìn)制程技術(shù),研究人員已在開發(fā)稱為“CasFET”的制程技術(shù),除了更低開關(guān)電壓、更低功耗和更高密度設(shè)計(jì),新型芯片在晶體管應(yīng)用難題獲得更好解決法,開發(fā)性能更優(yōu)異的芯片產(chǎn)品。
美國(guó)麻省理工學(xué)院的工程師利用嵌入植物葉子中的特殊納米顆粒,創(chuàng)造出一種可由LED充電的新型發(fā)光植物。
關(guān)注微信公眾號(hào),了解最新精彩內(nèi)容