Cmos優(yōu)勢物料推選五：CMSA035N06L
Cmos優(yōu)勢物料推選五：CMSA035N06L
隨著電力電子功率器件向高功率密度方向的發(fā)展,DFN（Direct-Flux-on-Lead）封裝以其高效率，高集成性，低成本同時又方便檢測等諸多優(yōu)點(diǎn)，在半導(dǎo)體封裝行業(yè)得到大力發(fā)展。場效應(yīng)半導(dǎo)體經(jīng)過二十多年的沉淀和發(fā)展，不斷總結(jié)市場需求和市場發(fā)展規(guī)律，持續(xù)投入DFN大功率封裝線，通過不斷優(yōu)化制程工藝和生產(chǎn)設(shè)備開發(fā)出多規(guī)格DFN封裝的半導(dǎo)體器件，以其超高的性價比迅速在市場上被廣泛應(yīng)用。
與先前發(fā)布的CMSA030N04一樣，CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場效應(yīng)管，其漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關(guān)鍵性能指標(biāo)／品質(zhì)因數(shù)（FOM）的優(yōu)化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。這些優(yōu)點(diǎn)，正是諸如車載設(shè)備，電池保護(hù)，電源管理，智能AI等鄰域的理想選擇。
封裝形式
CMSA035N06L MOSFET是DFN-8 5×6封裝形式，內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示。
卓越的電性參數(shù)
優(yōu)秀的能量輸送能力
CMSA035N06L是一款持續(xù)漏極電流（ID）為120A，脈沖電流（IDM）高達(dá)480A的60V低壓場效應(yīng)半導(dǎo)體器件，在實(shí)際的電子電路應(yīng)用中具有較高的功率輸送能力。場效應(yīng)功率器件在工作時其自身也會消耗一定的電能, 把單位時間內(nèi)功率器件所消耗的電能稱作為器件的功率損耗。在通態(tài)下最大漏源電阻僅有3.3MΩ，自身能量損耗非常低。無論從傳遞能量還是傳輸效率，CMSA035N06L應(yīng)用在實(shí)際電路中都將是一款綜合效率非常高的器件。
器件熱平衡
隨著高密度性功率器件的發(fā)展，元器件單位體積內(nèi)的熱量也相應(yīng)增加。在大功率高頻率電源等設(shè)備中功率開關(guān)器件的電能損耗尤其突出, 這部分消耗功率會轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃渴构β势骷苄景l(fā)熱、結(jié)溫升高, 如果不能及時、有效地將此熱量釋放, 就會影響到器件的工作性能, 從而降低系統(tǒng)工作的可靠性, 甚至損壞器件。
器件的功率消耗將導(dǎo)致其結(jié)溫升高從而產(chǎn)生了散熱冷卻的要求，而散熱器在單位時間內(nèi)所散發(fā)出的熱能量叫耗散功率。在設(shè)備正常穩(wěn)定工作時, 器件的功率損耗和散熱器的耗散功率將達(dá)到平衡, 器件的溫度也不會繼續(xù)升高, 即系統(tǒng)達(dá)到了熱平衡狀態(tài)。在此情形下，作為一名半導(dǎo)體器件從業(yè)者，推薦和選擇合適的元器件將對電路的穩(wěn)定性和安全性產(chǎn)生重要意義。
抗沖擊能力
CMSA035N06L具有840mJ的單脈沖雪崩抗沖擊能力。
驅(qū)動兼容性
場效應(yīng)半導(dǎo)體是一款電壓控制型元器件，即通過給柵極施加電壓形成感應(yīng)電場產(chǎn)生導(dǎo)電溝道工作。給柵極施加的電壓是其工作或者表現(xiàn)不同電性特征的制約因素。在實(shí)際電子電路中，為了給柵極施加穩(wěn)定安全的電壓，根據(jù)電路特性需專門設(shè)計驅(qū)動電路，是要量體裁衣。驅(qū)動電壓過大，外設(shè)驅(qū)動回路就會變得相對復(fù)雜，進(jìn)而使實(shí)際的PCBA體積更為厚重，電路中EMC也會更差，電路產(chǎn)生局部振鈴效應(yīng)嚴(yán)重，導(dǎo)致FET,JET等功率器件誤動作，從而給電路帶來不穩(wěn)定因素，輕則使功率管擊穿，嚴(yán)重時可能會發(fā)生安全事故。
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