Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選四：CMP50N20
Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選四：CMP50N20
從電子電路應(yīng)用場(chǎng)景和使用習(xí)慣出發(fā)，200V大功率MOS管是一種具有高性能和高可靠性的電子半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及各種電力電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。本文將以CMP50N20MOSFET為例，詳細(xì)介紹200V大功率MOS管的特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及其在電路設(shè)計(jì)中的注意事項(xiàng)。
CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場(chǎng)效應(yīng)管，這種工藝典型特點(diǎn)是抗沖擊能力強(qiáng)和參數(shù)一致性表現(xiàn)好。
下圖是一個(gè)DC/12V轉(zhuǎn)AC/220V的輸出為方波逆變器原理圖，原理圖包括DC in12V、半橋結(jié)構(gòu)、升壓、整流濾波、AC out220V。
根據(jù)電子電路設(shè)計(jì)的一般認(rèn)識(shí)，橋型等其他半導(dǎo)體器件組合結(jié)構(gòu)電路在設(shè)計(jì)方案中是以對(duì)稱結(jié)構(gòu)來布局，這是基本的設(shè)計(jì)邏輯。從實(shí)際電路出發(fā)，這些組合器件不僅在結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)出對(duì)稱特點(diǎn)，在實(shí)際應(yīng)用中也遵循對(duì)稱循環(huán)工作。之所以這樣布局，首先，這些對(duì)稱布置減少了電路電磁干擾所帶來的諧振危害；組合器件其本身電參數(shù)一致性是確保電路安全可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。如上圖所示，顯然Q1與Q2符合設(shè)計(jì)要求且滿足參數(shù)一致性原則。
封裝形式
CMP50N20MOSFET提供了TO-220和TO-263兩種封裝形式，具體內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示。
卓越的電性參數(shù)
耐壓和耐流能力
CMP50N20是一款支持續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)50A，脈沖電流（IDM）高達(dá)200A的200V場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體器件。在實(shí)際的電子電路應(yīng)用中具有較高的功率輸送能力。
優(yōu)秀的品質(zhì)因數(shù)
該款器件提供不超過55MΩ的超低漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)，可有效減少電源應(yīng)用中的損耗。其中關(guān)鍵性能指標(biāo)／品質(zhì)因數(shù)（FOM）= RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。
抗沖擊性強(qiáng)
CMP50N20具有1350mJ的單次雪崩抗沖擊能量值。
優(yōu)秀的開關(guān)速度
得益于更低的電容設(shè)計(jì)，CMP50N20增強(qiáng)型器件成為現(xiàn)代高速電源應(yīng)用的理想之選。
卓越的散熱能力
CMP50N20具有優(yōu)秀的散熱能力，RθJC只有0.4℃/W。
CMP50N20是一款平面工藝場(chǎng)效應(yīng)管，具有更高的抗沖擊性能和更好的電參數(shù)一致性。高電壓大電流具有高功率輸出能力，優(yōu)秀的品質(zhì)因數(shù)能夠有效減少能量損耗，輕松實(shí)現(xiàn)高效率電能傳遞。另外，該料還具有優(yōu)秀的跨導(dǎo)能力，在功放領(lǐng)域應(yīng)用具有非常高的性價(jià)比。綜合來講，CMP50N20是一款綜合性能優(yōu)越的場(chǎng)效應(yīng)管。
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